常见的ESD敏感器件

常见的ESD敏感器件

ESD敏感组件-（ESSD）就是容易受ESD影响的组件，如半导体、二极管三极管及IC等。

对CDM的技术影响不仅来自所需的IO速度，还来自封装尺寸效应。在给定的应力电压水平下，较大的封装将经历较高的放电电流。尽管该图表并未涵盖所有IC封装类型，但下图显示了22 nm技术节点的组合IO设计和封装效果。图中采用的配色方案基于250伏CDM对生产区域安全的验证[2]。随着技术的进一步扩展或封装尺寸变得更大，这一地图将发生变化。例如，请注意，对于目前在陆地网格阵列（LGA）或球网格阵列（BGA）中具有3000个引脚（~3000-3500 mm2）或更多引脚（对于微处理器来说并不少见）的封装，22 nm节点上的高速IOs几乎无法满足125伏的CDM目标电平。为简单起见，此处未包括额外的封装效果，即厚度减小。在图中，针对每种类型的IO设计指示的电流值表示满足基于特定IO设计的I/O性能约束的最大耐受电流值。然后将这些设计电流值转换为CDM电压水平，根据封装尺寸变化，CDM电压水平可能满足要求。

技术节点（22纳米）、IO设计和IC封装尺寸对CDM的综合影响